近年來我國半導體產業發展迅猛,半導體芯片行業使用大量研磨液進行芯片打磨拋光,產生各種研磨液廢水,但隨著民眾環保意識和環保要求的提高,環境污染也日益受到人們的關注。現有的研磨廢水一般需要進行處理,達到標準后才能排放,現有的處理工藝一般采用=絮凝沉淀、電絮凝、高pH膜過濾等的處理工藝。添加聚合氯化鋁PAC絮凝劑為常用的絮凝方式,但是由于研磨液呈現強穩定性需要投加大量的聚合氯化鋁絮凝劑才能起到絮凝作用,這無疑增加了企業的投入成本,而且,投加的聚合氯化鋁絮凝劑量大,產生的污泥量也隨著增加,使得后續污泥處理的難度也隨之增大。
聚合氯化鋁緩慢加入溶解在輪回水體積中的聚氯化鋁的攪拌釜中,并連續攪拌該混合物,形成5的聚合氯化鋁PAC溶液,打開液體排出閥以氯化制備的聚合物。鋁溶液進入溶液罐以用于處理系統,并且一組兩組溶液罐用于一組。
該工藝采用管式微渦管混合器作為混合裝置,在輸送泵前加入聚合氯化鋁溶液,在輸送泵后加入PAM溶液,湍流微渦和離心慣性效應用于實現廢水中的水解產物。廢水中形成的膠體顆粒的完全擴散實現了更好的不不亂性。根據污水的絮凝沉淀系統的出水水質調整劑量。通常,控制每立方米添加5-10L聚氯化鋁溶液。
預處理原水首先加入次氯酸鈉和聚合氯化鋁PAC,降低渾濁度,去除懸浮物和膠體等雜質,經錳砂過濾器進一步去除懸浮物和固體顆粒;UF超濾過濾精度在0.005~0.01μm范圍內,可有效去除水中的微粒、膠體、細菌墊層及高分子有機物質;一級RO處理后產水電導率<10~20μs/cm,二級RO處理后可制備產水電導率<5μs/cm的RO水;RO處理后通過EDI設備混合床離子交換可制備純水;通過UV185nm將水中透過反滲透膜的少量有機物分解成CO2和H2O可去除TOC,再經混合床離子交換、膜滲透制備超純水,超純水使用后通過UPW循環系統回用到原水箱。
相關推薦